HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-laye的縮寫(xiě)，意為本征薄膜異質(zhì)結(jié).HIT太陽(yáng)能電池是以光照射側(cè)的p/i型a-si膜（膜厚5~10nm）和背面?zhèn)鹊膇/n型a-si膜（膜厚5~10nm）夾住單結(jié)晶Si片的來(lái)構(gòu)成的.HIT電池是日本Sanyo公司發(fā)明的異質(zhì)結(jié)電池的一種，其特點(diǎn)是再發(fā)射極和背面高濃度摻雜層與基片之間添加了一層本征非晶硅層。 HIT電池發(fā)展歷史 >1968年，第一個(gè)a-Si/c-Si異質(zhì)結(jié)器件。 >1974年，第一個(gè)氫化非晶硅器件。（a- Si:H，H鈍化，減少缺陷） >1983年，第一個(gè)太陽(yáng)能電池。 >2010年，轉(zhuǎn)換效率達(dá)到23%。

 HIT電池

電池基板以硅基板為主；在硅基板上沉積高能隙（Energy band gap） 的硅奈米薄膜，表層再沉積透明導(dǎo)電膜，背表面有著背表面電場(chǎng)。 通過(guò)優(yōu)化硅的表面織構(gòu)，可以降低透明導(dǎo)電氧化層（TCO）和a-Si層的光學(xué)吸收損耗。HIT電池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增強(qiáng)n型c-Si的光吸收率。 HIT 電池技術(shù)上的優(yōu)勢(shì) 由于HIT太陽(yáng)能電池使用a-Si構(gòu)成pn結(jié)，所以能夠在200℃以下的低溫完成整個(gè)工序。和原來(lái)的熱擴(kuò)散型的結(jié)晶太陽(yáng)電池的形成溫度（~900℃）相比較，大幅度地降低了制造工藝的溫度。由于這種對(duì)稱(chēng)構(gòu)造和低溫工藝的特征，減少了因熱量或者膜形成時(shí)產(chǎn)生的Si晶片的變形和熱損傷，對(duì)實(shí)現(xiàn)晶片的輕薄化和高效化來(lái)說(shuō)是有利的，具有業(yè)界領(lǐng)先的高轉(zhuǎn)換效率（研究室水平為23%，量產(chǎn)水平為20%），即使在高溫下，轉(zhuǎn)換效率也極少降低，利用雙面單元來(lái)提高發(fā)電量。